| 研究課題/領域番号 |
25630289
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
複合材料・表界面工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
須藤 祐司 東北大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (80375196)
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| 連携研究者 |
小池 淳一 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 教授 (10261588)
安藤 大輔 東北大学, 大学院工学研究科, 助教 (50615820)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2014年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2013年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 相変化メモリ / 不揮発性メモリ / 表面酸化 / 不均一核生成 / 結晶化 / 相変化材料 / アモルファス |
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| 研究成果の概要 |
不揮発性メモリとして、アモルファス/結晶変化を利用した相変化メモリ(PCRAM)が注目されている。現在、PCRAM材料として、GeSbTe材料が実用化されているが、結晶化温度(Tc)が低くデータ保持性能に劣る。一方、高Tc材料を用いればデータ保持性能は向上するが、データ書換速度の遅延を生む。それ故、高いTcを維持しつつ、結晶化速度を速める必要がある。
本研究では、相変化材料の表面・界面制御による相変化速度向上を試みた。その結果、GeTe-Si薄膜の表面酸化により、表面からの不均一核生成によって結晶化が進行する事が分かった。また、その不均一核生成により結晶化速度が速くなることが明らかとなった。
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