| 研究課題/領域番号 |
25630293
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
複合材料・表界面工学
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
江利口 浩二 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (70419448)
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| 研究分担者 |
斧 高一 京都大学, 大学院工学研究科, 教授 (30311731)
鷹尾 祥典 横浜国立大学, 大学院工学研究院, 准教授 (80552661)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2015年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2014年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2013年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | プラズマ / 誘電率 / 欠陥 / 有機膜 / シリコン / 有機材料 / 電気容量 |
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| 研究成果の概要 |
有機系機能素子の高信頼性化に向けて、減圧プラズマ曝露による絶縁膜（SiOC膜）中での欠陥形成機構の解明に取り組んだ。ナノスケールの電気容量解析手法を用いて、電荷捕獲型欠陥密度を定量化する手法を提案した。プラズマ曝露条件に依存して、機械的強度や誘電率が大きく変動することが明らかになった。また、大気圧プラズマ曝露やマイクロ波照射による欠陥構造の回復過程について検討した。得られた知見は、将来の有機系材料構造設計に重要な指針を与えるものである。
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