| 研究課題/領域番号 |
25630318
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
材料加工・組織制御工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
中村 貴宏 東北大学, 多元物質科学研究所, 准教授 (50400429)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2014年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
2013年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
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| キーワード | レーザー誘起転写法 / フェムト秒パルスレーザー / ナノ構造 / 直接描画 / 配線 / レーザープロセス / 薄膜プロセス / めっき |
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| 研究成果の概要 |
本研究では，横断面強度分布を制御することで焦点付近において特異な集光特性を有するレーザー光を用いたレーザー誘起転写法（LIFT）により，10 nmオーダーの配線や素子で構成される極小集積回路の作製を試みることを目的に研究を行った．円環ビームを用いることで，通常のガウスビームに比べて焦点スポットサイズを大幅に低減することに成功した．また円環ビームを用いたLIFTによりこれまでに同手法を用いて形成された最小サイズの330nmを更新し，60nmのドットの直接描画に成功した．一方，二次元構造形成のためには基板と薄膜材料の独立走査が必要であることが明らかとなった．
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