In系窒化物混晶半導体材料に関する結晶成長基盤技術の高度化

• 研究課題/領域番号: 25706020
• 研究種目: 若手研究(A)
• 配分区分: 一部基金
• 研究分野: 結晶工学
• 研究機関: 工学院大学
• 研究代表者: 山口 智広 工学院大学, 先進工学部, 准教授 (50454517)
• 研究期間 (年度): 2013-04-01 – 2017-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2016年度)
• 配分額: 23,400千円 (直接経費: 18,000千円、間接経費: 5,400千円); 2016年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円); 2015年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円); 2014年度: 9,360千円 (直接経費: 7,200千円、間接経費: 2,160千円); 2013年度: 8,840千円 (直接経費: 6,800千円、間接経費: 2,040千円)
• キーワード: 結晶成長 / 窒化物半導体 / InGaN / 分子線エピタキシー（MBE） / エピタキシャル成長 / 電子・電気材料 / 半導体物性 / MBE、エピタキシャル

研究成果の概要

In組成の高いIn系窒化物半導体材料に焦点を当て、高品質結晶形成や表面バンド構造制御を含めた結晶成長技術の高度化を図った。
これまでの結晶成長技術を駆使してpn-InGaN LEDを製作した。このLEDでの問題点を踏まえ、結晶成長中の新しいその場観察（モニタリング）技術の導入し成長機構を理解した。また、組成に対してユニバーサルな新しいバッファ層製作技術の開拓を行った。その他、製作した全In組成域にわたるInGaNを対象とした物性評価を含めた包括的な研究を行った。

研究成果

• [国際共同研究] ジャウメ・アルメーラ研究所(スペイン)
• [雑誌論文] Fabrication of Ag dispersed ZnO films by molecular precursor method and application in GaInN blue LED (2016)
  • 著者名/発表者名: D. Taka, T. Onuma, T. Shibukawa, H. Nagai, T. Yamaguchi, J.-S. Jang, M. Sato, and T.Honda
  • 雑誌名: Physica Status Solidi (a) 巻: 214 号: 3 ページ: 16005981-5
  • DOI: 10.1002/pssa.201600598
  • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Effect of (GaN/AlN) alternating-source-feeding buffer layer in GaN growth on Al2O3 and silicon by RF-MBE (2013)
  • 著者名/発表者名: T. Yamaguchi, D. Tajimi, M. Hayashi, T. Igaki, Y. Sugiura and T. Honda
  • 雑誌名: Physica Status Solidi C 巻: 11 号: 11 ページ: 1549-1552
  • DOI: 10.1002/pssc.201300399
  • 査読あり
• [学会発表] Growth and characterization of In2O3 on various substrates by mist CVD (2016)
  • 著者名/発表者名: T. Kobayashi, K. Tanuma, T. Yamaguchi, T. Onuma, T. Honda
  • 学会等名: 2016 Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit(2016 MRS Fall Meeting)
  • 発表場所: Boston, MA, USA
  • 年月日: 2016-11-27
  • 国際学会
• [学会発表] In-situ monitoring in RF-MBE growth of In-based nitrides (2016)
  • 著者名/発表者名: T. Yamaguchi, T. Sasaki, M. Takahasi, T. Araki, T. Onuma, T. Honda, Y. Nanishi
  • 学会等名: The 15th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-15)
  • 発表場所: Taiwan
  • 年月日: 2016-11-10
  • 国際学会
• [学会発表] Study on Mist CVD Growth of IN2O3 (2016)
  • 著者名/発表者名: T. Yamaguchi, T. Kobayashi, K. Tanuma, H. Nagai, T. Onuma, M. Sato, T. Honda
  • 学会等名: 2016 international Symposium on Novel and Sustainable Technology (2016ISNST)
  • 発表場所: Taiwan
  • 年月日: 2016-10-06
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Surface and Bulk Electronic Structures of Heavily Mg-Doped InN Epilayer by Hard X-Ray Photoelectron Spectroscopy (2016)
  • 著者名/発表者名: M. Imura, S. Tsuda, T. Nagata, A. Yang, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, Y. Koide, K. Kobayashi, T. Yamaguchi, M. Kaneko, N. Uematsu, K. Wang, T. Araki, Y. Nanishi
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
  • 発表場所: Orlando, Florida, USA
  • 年月日: 2016-10-02
  • 国際学会
• [学会発表] RF-MBE Growth of InGaN Ternary Alloys Using in-situ Monitoring Techniques (2016)
  • 著者名/発表者名: T. Yamaguchi, T. Sasaki, M. Takahasi, T. Araki, T. Onuma, T. Honda, Y. Nanishi
  • 学会等名: 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2016)
  • 発表場所: Tsukuba, Ibaraki, Japan
  • 年月日: 2016-09-26
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Mist-CVD-Grown Crystalline In2O3 Thin-Film Transistors with Low Off-State Current (2016)
  • 著者名/発表者名: S. Aikawa, K. Tanuma, T. Kobayashi, T. Yamaguchi, T. Onuma, T. Honda
  • 学会等名: The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
  • 発表場所: Nagoya, Aichi, Japan
  • 年月日: 2016-08-07
  • 国際学会
• [学会発表] Strain Relaxation Analysis Using In-situ X-ray Reciprocal Space Mapping Measurements in RF-MBE Growth of GaInN (2016)
  • 著者名/発表者名: T. Yamaguchi, T. Sasaki, M. Takahasi, T. Onuma, T. Honda, Y. Nanishi
  • 学会等名: The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
  • 発表場所: Nagoya, Aichi, Japan
  • 年月日: 2016-08-07
  • 国際学会
• [学会発表] Mist CVD growth of In2O3 films on (0001)alfa-Al2O3 substrates and (0001)GaN templates (2016)
  • 著者名/発表者名: T. Kobayashi, K. Tanuma, T. Yamaguchi, T. Onuma, T. Honda
  • 学会等名: International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications '16 (LEDIA '16)
  • 発表場所: Yokohama, Kanagawa, Japan
  • 年月日: 2016-05-18
  • 国際学会
• [学会発表] Epitaxial growth of GaInN by Radio-Frequency Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy (2015)
  • 著者名/発表者名: T. Yamaguchi, T. Honda, T. Onuma, T. Sasaki, M. Takahasi, T. Araki and Y. Nanishi
  • 学会等名: 第25回日本MRS年次大会
  • 発表場所: 横浜、神奈川
  • 年月日: 2015-12-09
  • 招待講演
• [学会発表] ICP-RIEによるGaN,GaInN,InNエッチングとGaInN系LED製作への応用 (2015)
  • 著者名/発表者名: 鳴谷建人, 山口智広, 荒木努, 名西憓之, 尾沼猛儀, 本田徹
  • 学会等名: 第4回結晶工学未来塾
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2015-10-29
• [学会発表] In-situ X-ray Reciprocal Space Mapping Measurements in GaInN Growth on GaN by RF-MBE (2015)
  • 著者名/発表者名: T. Yamaguchi, T. Sasaki, K. Narutani, M. Sawada, R. Deki, T. Onuma, T. Honda, M. Takahasi, and Y. Nanishi
  • 学会等名: The 31st North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2015)
  • 発表場所: Mayan Riviera, Mexico
  • 年月日: 2015-10-07
  • 国際学会
• [学会発表] Comprehensive study on inductively coupled plasma reactive ion etching of GaN and InN (2015)
  • 著者名/発表者名: K. Narutani, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi, T. Onuma, and T. Honda
  • 学会等名: The 31st North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2015)
  • 発表場所: Mayan Riviera, Mexico
  • 年月日: 2015-10-07
  • 国際学会
• [学会発表] RF-MBE法によるGaN上GaInN成長におけるその場X線逆格子マッピング測定 (2015)
  • 著者名/発表者名: 澤田 匡崇, 山口 智広, 佐々木 拓生, 鳴谷 建人, 出来 亮太, 尾沼 猛儀, 本田 徹, 高橋 正光, 名西 憓之
  • 学会等名: 2015年秋季応用物理学会
  • 発表場所: 名古屋、愛知
  • 年月日: 2015-09-14
• [学会発表] α-Ga2O3 and α-(AlGa)2O3 Buffer Layers in Growth of GaN (2015)
  • 著者名/発表者名: T. Yamaguchi, T. Hatakeyama, K. Tanuma, T. Hirasaki, H. Murakami, T. Onuma and T. Honda
  • 学会等名: 11th International Conference On Nitride Semiconductors (ICNS-11)
  • 発表場所: Beijing, China
  • 年月日: 2015-09-01
  • 国際学会
• [学会発表] Growth of Group-III Oxides by Mist Chemical Vapor Deposition and Discussion on Thier Growth Mechanisms (2015)
  • 著者名/発表者名: T. Yamaguchi, K. Tanuma, H. Nagai, T. Onuma, T. Honda, and M. Sato
  • 学会等名: 22nd International Society of Pure & Applied Coordination Chemistry Symposium (SPACC 22)
  • 発表場所: Namibia
  • 年月日: 2015-08-14
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Inductively coupled plasma reactive ion etching of GaN and InN (2015)
  • 著者名/発表者名: K. Narutani, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi, T. Onuma, and T. Honda
  • 学会等名: 34th Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: 守山、滋賀
  • 年月日: 2015-07-16
• [学会発表] Growth mechanisms of InN and its alloys using droplet elimination by radical beam irradiation (2015)
  • 著者名/発表者名: T. Yamaguchi, T. Araki, T. Onuma,, T. Honda, Y. Nanishi
  • 学会等名: EMN droplet
  • 発表場所: Phuket, Thailand
  • 年月日: 2015-05-09
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] 誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチングによるInN エッチング (2015)
  • 著者名/発表者名: 鳴谷建人, 山口智広, 荒木努, 名西憓之, 尾沼猛儀, 本田徹
  • 学会等名: 第7回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 仙台、宮城
  • 年月日: 2015-05-07
• [学会発表] ミストCVDによるalpha-(AlGa)2O3混晶成長の基礎検討 -alpha-Ga2O3と比較したalpha-Al2O3の成長速度の検討- (2015)
  • 著者名/発表者名: 高橋 幹夫, 畠山 匠, 尾沼 猛儀, 山口 智広, 本田 徹
  • 学会等名: 第62回応用物理学会春季講演会
  • 発表場所: 神奈川
  • 年月日: 2015-03-13
• [学会発表] Growth and doping of In-based nitride semiconductors using DERI method (2015)
  • 著者名/発表者名: T. Yamaguchi, T. Araki, T. Onuma, T. Honda and Y. Nanishi
  • 学会等名: The 2015 Materials Challenges in Alternative and Renewable Energy Conference (MCARE 2015)
  • 発表場所: Jeju, Korea
  • 年月日: 2015-02-25
  • 招待講演
• [学会発表] Progress in InGaN growth by RF-MBE and development to optical device fabrication (2015)
  • 著者名/発表者名: T. Yamaguchi, T. Araki, T. Onuma, T. Honda and Y. Nanishi
  • 学会等名: SPIE Photonic West 2015
  • 発表場所: San Francisco, USA
  • 年月日: 2015-02-09
  • 招待講演
• [学会発表] Fabrication of alpha-(AlGa)2O3 on sapphire substrate by mist CVD (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Hatakeyama, K. Tanuma, S. Osawa, Y. Sugiura, T. Onuma, T. Hirasaki, H. Murakami, T. Yamaguchi and T. Honda
  • 学会等名: 10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014)
  • 発表場所: Kaohsiung, Taiwan
  • 年月日: 2014-12-15
• [学会発表] Growth and characterization of Ga-In-O by mist CVD (2014)
  • 著者名/発表者名: K. Tanuma, T. Hatakeyama, R. Goto, T. Onuma, T. Yamaguchi and T. Honda
  • 学会等名: The 13th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-13)
  • 発表場所: Danang, Vietnam
  • 年月日: 2014-11-14
• [学会発表] Growth of oxide thin films by mist chemical vapor deposition – Application of corundum-structured oxides for growth of GaN - (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Hatakeyama, K. Tanuma, S. Osawa, Y. Sugiura, T. Onuma, T. Yamaguchi and T. Honda
  • 学会等名: The 13th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-13)
  • 発表場所: Danang, Vietnam
  • 年月日: 2014-11-14
• [学会発表] RF-MBE growth of InGaN alloys and fabrication of optical device structures (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Yamaguchi, T. Araki, T. Onuma, T. Honda and Y. Nanishi
  • 学会等名: The Corroborative Conference on Crystal Growth (3CG)
  • 発表場所: Phuket, Tailand
  • 年月日: 2014-11-05
  • 招待講演
• [学会発表] Mist chemical vapor deposition growth of group-III oxides and its growth mechanism (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Yamaguchi, T. Hatakeyama, K. Tanuma, M. Sugimoto, H. Nagai, T. Onuma, M. Sato and T. Honda
  • 学会等名: The 21st International SPACC (The Society of Pure and Applied Coordination Chemistry) Symposium (SPACC 21)
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2014-11-01
  • 招待講演
• [学会発表] Growth of InGaN alloys using DERI method and fabrication of LED structures (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Yamaguchi, T. Araki, T. Onuma, T. Honda and Y. Nanishi
  • 学会等名: Energy Materials Nanotechnology open access week (EMN open access week)
  • 発表場所: Chengdu, China
  • 年月日: 2014-09-24
  • 招待講演
• [学会発表] Mist CVD法を用いて製作したalpha-Al2O3基板上Ga-In-O薄膜の評価 (2014)
  • 著者名/発表者名: 田沼 圭亮, 畠山 匠, 尾沼 猛儀, 山口 智広, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 松岡 隆志, 本田 徹
  • 学会等名: 第75回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 北海道
  • 年月日: 2014-09-18
• [学会発表] Growth of alpha-Ga2O3 on alpha-Al2O3 substrate by mist CVD and growth of GaN on alpha-Ga2O3 buffer layer by RF-MBE (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Yamaguchi, T. Hatakeyama, Y. Sugiura, T. Onuma and T. Honda
  • 学会等名: 18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2014)
  • 発表場所: Arizona, USA
  • 年月日: 2014-09-11
• [学会発表] Growth of pn-GaInN structures by RF-MBE and fabrication of homojunction-type light emitting diodes (2014)
  • 著者名/発表者名: K. Narutani, T. Yamaguchi, K. Wang, T .Araki, Y. Nanishi, L. Sang, M. Sumiya, S. Fujioka, T. Onuma and T. Honda
  • 学会等名: 18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2014)
  • 発表場所: Arizona, USA
  • 年月日: 2014-09-11
• [学会発表] Kelvin force microscopic study on GaN layers grown on (111)Al templates by RF-MBE (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Honda, T. Yamaguchi, Y. Sugiura, D. Isono, Y. Watanabe, S. Osawa, D. Tajimi, T. Iwabuchi, S. Kuboya, T. Tanikawa, R. Katayama and T. Matsuoka
  • 学会等名: 18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2014)
  • 発表場所: Arizona, USA
  • 年月日: 2014-09-09
• [学会発表] Optical properties of GaInN p-n homojunction blue-green light-emitting-diodes (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Onuma, K. Narutani, S. Fujioka, T. Yamaguchi, K. Wang, T. Araki, Y. Nanishi, L. Sang, M. Sumiya, T. Honda
  • 学会等名: International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia 2014 (IUMRS-ICA 2014)
  • 発表場所: Fujuoka, Japan
  • 年月日: 2014-08-25
  • 招待講演
• [学会発表] RF-MBE growth of GaInN films using DERI method and fabrication of p-n homojunction blue-green light-emitting diodes (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Yamaguchi, K. Narutani, T. Onuma, T. Araki, T. Honda and Y. Nanishi
  • 学会等名: The 6th International Symposium on Functional Materials (ISFM 2014)
  • 発表場所: Singapore
  • 年月日: 2014-08-07
  • 招待講演
• [学会発表] RF-MBE法によるGaInN厚膜成長とpnホモ接合型LEDの製作 (2014)
  • 著者名/発表者名: 鳴谷 建人, 山口 智広, Ke Wang, 荒木 努, 名西やすし, Liwen Sang, 角谷 正友, 藤岡 秀平, 尾沼 猛儀, 本田 徹
  • 学会等名: 第6回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 愛知
  • 年月日: 2014-07-26
• [学会発表] Investigation of Ga-In-O films grown on alpha-Al2O3 substrates by mist CVD (2014)
  • 著者名/発表者名: K. Tanuma, T. Hatakeyama, T. Onuma, T. Yamaguchi and T. Honda
  • 学会等名: The 33rd Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: 静岡
  • 年月日: 2014-07-10
• [学会発表] Blue-green light emitting diodes using pn-GaInN homojunction type-structure (2014)
  • 著者名/発表者名: K. Narutani, T. Yamaguchi, K. Wang, T. Araki, Y. Nanishi, L. Sang, M. Sumiya, S. Fujioka, T. Onuma and T. Honda
  • 学会等名: The 33rd Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: 静岡
  • 年月日: 2014-07-10
• [学会発表] RF-MBE growth of group-III nitrides and mist CVD growth of group-III oxides (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Yamaguchi, T. Onuma, H. Nagai, C. Mochizuki, M. Sato, T. Honda, T. Araki and Y. Nanishi
  • 学会等名: Third International Conference on Materials Energy and Environments (ICMEE 2014)
  • 発表場所: Hawaii, USA
  • 年月日: 2014-07-03
  • 招待講演
• [学会発表] Mist CVD growth of Ga-In-O films grown on alpha-Al2O3 substrates (2014)
  • 著者名/発表者名: K. Tanuma, T. Hatakeyama, T. Onuma, T. Yamaguchi, T. Honda
  • 学会等名: International Union of materials Research Societies-International Conference on Electronic Materials 2014 (IUMRS-ICEM 2014)
  • 発表場所: Taipei, Taiwan
  • 年月日: 2014-06-12
• [学会発表] Mist Chemical Vapor Deposition Growth of Ga2O3, In2O3 and Their Alloys (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Yamaguchi, K. Tanuma, T. Hatakeyama, T. Onuma and T. Honda
  • 学会等名: The 41st International Symposium on Compound Semiconductor (ISCS 2014)
  • 発表場所: Montpellier, France
  • 年月日: 2014-05-12
• [学会発表] RF-MBE growth of GaInN ternary alloys using DERI method and fabrication of pn-GaInN LEDs (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Yamaguchi, K. Narutani, T. Onuma, T. Honda, T. Araki and Y. Nanishi
  • 学会等名: 2014 International Workshop on Future Energy Materials and Devices (IWFEMD 2014)
  • 発表場所: Jeju, Korea
  • 年月日: 2014-05-02
  • 招待講演
• [学会発表] InN および In-rich InGaN をベースとした窒化物半導体による長波長発光デバイス開発への挑戦
  • 著者名/発表者名: 名西やすし、山口智広、荒木努
  • 学会等名: LED総合フォーラム2013in徳島
  • 発表場所: 徳島
  • 招待講演
• [学会発表] 表面酸化物によるGaN表面フェルミ準位に及ぼす影響
  • 著者名/発表者名: 網谷良介、多次見大樹、杉浦洋平、山口智広、本田徹
  • 学会等名: 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第５回 窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 大阪
• [学会発表] DERI法を応用したRF-MBEによるInGaN成長と評価
  • 著者名/発表者名: 荒木努、山口智広、名西やすし
  • 学会等名: 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第５回 窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 大阪
  • 招待講演
• [学会発表] Influence of native surface oxide on GaN surface band bending
  • 著者名/発表者名: R. Amiya, Y. Sugiura, D. Tajimi, T. Yamaguchi, T. Honda
  • 学会等名: 32nd Electronic Materials Symposium (EMS-32)
  • 発表場所: 滋賀
• [学会発表] RF-MBE growth of GaN films on alpha-Ga2O3/sapphire template
  • 著者名/発表者名: T. Hatakeyama, T. Yamaguchi, D. Tajimi, Y. Sugiura, T. Honda
  • 学会等名: 32nd Electronic Materials Symposium (EMS-32)
  • 発表場所: 京都
• [学会発表] RF-MBE growth of GaN films on nitridated alpha-Ga2O3 buffer layer
  • 著者名/発表者名: T. Yamaguchi, T. Hatakeyama, D. Tajimi, Y. Sugiura, T. Onuma, T. Honda
  • 学会等名: 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17)
  • 発表場所: Warsaw, Poland
• [学会発表] RF-MBE Growth of InGaN Ternally Alloys: Advantage of DERI method
  • 著者名/発表者名: T. Yamaguchi, K. Wang, T. Honda, E. Yoon, T. Araki, Y. Nanishi
  • 学会等名: The 16th Canadian Semiconductor Science and Technology Conference (CSSTC2013)
  • 発表場所: Thunder Bay, Canada
  • 招待講演
• [学会発表] RF-MBE Growth and Characterization of GaN Films on alpha-Ga203/Sapphire Template
  • 著者名/発表者名: T. Hatakeyama, T. Yamaguchi, D. Tajimi, Y. Sugiura, T. Honda
  • 学会等名: 10th International Conference on Nitride Semiconductors 2013 (ICNS-10)
  • 発表場所: Washington D.C., U.S.A.
• [学会発表] 表面酸化物のGaN表面フェルミ準位と表面バンド曲がりに及ぼす影響
  • 著者名/発表者名: 網谷良介、多次見大樹、杉浦洋平、山口智広、本田徹
  • 学会等名: 2013年秋季 第74回 応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 京都
• [学会発表] ミストCVD法を用いたGaN基板上へのGa2O3成長
  • 著者名/発表者名: 多次見大樹、奥秋良隆、畠山匠、金子健太郎、藤田静雄、尾沼猛儀、山口智広、本田徹
  • 学会等名: 2013年秋季 第74回 応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 京都
• [学会発表] MBE Growth of Thick InN and InGaN Films using DERI Method
  • 著者名/発表者名: T. Araki, T. Yamaguchi, E. Yoon, Y. Nanishi
  • 学会等名: 2013 JSPS-MRS Joint Symposia
  • 発表場所: Kyoto, Japan
• [学会発表] Ga2O3上GaN成長とGaN上Ga2O3成長
  • 著者名/発表者名: 山口智広、畠山匠、多次見大樹、尾沼猛儀、本田徹
  • 学会等名: 第43回結晶成長国内会議
  • 発表場所: 長野
• [学会発表] Growth of InN and Related Alloys using DERI Method toward Fabrication of Optoelectronics Devices
  • 著者名/発表者名: T. Yamaguchi, K. Wang, T. Honda, E. Yoon, T. Araki, Y. Nanishi
  • 学会等名: The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE2013)
  • 発表場所: Juju, Korea
  • 招待講演
• [学会発表] Impact of Native Surface Oxide on GaN Layers for their Surface Band Bending
  • 著者名/発表者名: R. Amiya, Y. Sugiura, D. Tajimi, T. Yamaguchi, T. Honda
  • 学会等名: The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE2013)
  • 発表場所: Juju, Korea
• [学会発表] DERI Method; Possible Approach to Green, Red and IR Light Emitters Based on Nitride Semiconductors
  • 著者名/発表者名: Y. Nanishi, T. Yamaguchi, T. Araki and E. Yoon
  • 学会等名: SPIE Photonics West 2014
  • 発表場所: San Francisco, U.S.A.
  • 招待講演
• [学会発表] GaInNのRF-MBE成長とpn ホモ接合型青緑色LEDの製作
  • 著者名/発表者名: 鳴谷建人，山口智広，Ke Wang，荒木努，名西やすし，Liwen Sang，角谷正友，藤岡秀平，尾沼猛儀，本田徹
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 神奈川
• [備考] 研究室HP
  • URL: http://www.ns.kogakuin.ac.jp/~ct13354/
• [備考] 工学院大学教員プロフィール
  • URL: http://er-web.sc.kogakuin.ac.jp/Profiles/10/0000905/profile.html
• [備考] デバイスマテリアルズ研究室HP （工学院大学 工学部 情報通信工学科 山口（智）研）
  • URL: http://www.ns.kogakuin.ac.jp/~ct13354/index.html
• [備考] 教員プロフェール （工学院大学 工学部 情報通信工学科 山口（智））
  • URL: http://er-web.sc.kogakuin.ac.jp/Profiles/10/0000905/profile.html