| 研究課題/領域番号 |
25706030
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| 研究種目 |
若手研究(A)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 研究分野 |
応用物理学一般
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
森山 悟士 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 独立研究者 (00415324)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
25,480千円 (直接経費: 19,600千円、間接経費: 5,880千円)
2015年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2014年度: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2013年度: 19,370千円 (直接経費: 14,900千円、間接経費: 4,470千円)
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| キーワード | グラフェン / hBN / 量子ホール効果 / 単電子輸送 / ナノ微細加工 / 量子デバイス / ナノ材料 / 小数電子素子 / 量子閉じ込め |
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| 研究成果の概要 |
本研究ではグラフェン量子ナノ構造と磁場の制御を駆使することによって, 有効質量0の相対論的粒子の性質を保持した電子を微小構造に閉じ込める素子の作製と, 閉じ込められた電子の軌道の解析を行った。また, グラフェンの量子物性を最大限に活用するための高移動度グラフェン素子を開発した。具体的には, 六方晶窒化ホウ素(hexagonal Boron Nitride: hBN)を基板およびグラフェンの表面を保護する膜としてカバーするデバイス構造を作製した。電子輸送測定の結果から高移動度グラフェン素子の実現, さらにグラフェンとhBNの結晶方位が揃っていることに起因する量子輸送現象の観測に成功した。
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