研究課題
若手研究(A)
GeコアSi量子ドットからのPLでは、Geコアでの電子-正孔再結合が支配的であり、GeコアへのPのデルタドーピングにより、Pドナー準位を介した発光再結合が顕著に増加することがわかった。さらには、Geコアの量子準位間の発光再結合に起因するPLの強度は、励起光強度~6W/cm^2以上で、オージェ再結合が顕在化するため飽和することが分かった。また、SiO2上の極薄Pt/Fe積層膜をリモートH2プラズマ処理することで、規則合金FePtナノドットを高密度一括形成でき、保磁力の異なるナノドットの二層構造の局所電気伝導特性では保磁力差を反映して、ドットの磁化状態に起因する電子輸送変化が室温で観測できた。
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すべて 国際共同研究 (2件) 雑誌論文 (8件) (うち査読あり 8件、 謝辞記載あり 6件、 オープンアクセス 1件) 学会発表 (59件) (うち国際学会 7件、 招待講演 3件) 備考 (1件)
Thin Solid Films
巻: 602 ページ: 48-51
Jpn, J. Appl. Phys.
巻: 55
210000145983
Trans. Mat. Res. Sco. Japan
巻: 40 ページ: 347-350
130005113360
ECS Transaction
巻: 64 ページ: 365-370
Jpn. J. Appl. Phys.
巻: 53 号: 11S ページ: 11RA02-11RA02
10.7567/jjap.53.11ra02
210000144616
IEICE Trans. on Electronics
巻: E97-C ページ: 393-396
130004519104
巻: 52 号: 4S ページ: 04CG08-04CG08
10.7567/jjap.52.04cg08
210000142065
Trans. of MRS-J.
巻: 38 ページ: 393-396
http://www.nuee.nagoya-u.ac.jp/labs/miyazakilab/