研究課題
若手研究(A)
超臨界流体中における化学反応を利用した製膜技術(SCFD)を活用し,超高アスペクト比かつ微細なシリコン貫通電極(TSV)を形成する技術を検討した。絶縁性表面への膜形成と埋め込み性の向上がポイントであり,流通式製膜装置の新規開発による傾斜組成CuMnOxバッファ層と原料溶解度測定を通じた高埋め込み性製膜条件の検討を行った。結果として,アスペクト比が100を超えるシリコントレンチ構造へのCuの埋め込みに成功した。
すべて 2015 2014 2013
すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件) 学会発表 (3件) (うち国際学会 1件、 招待講演 1件)
Journal of Supercritical Fluids
巻: 未定 ページ: 193-200
10.1016/j.supflu.2015.04.002