| 研究課題/領域番号 |
25790025
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
ナノ材料工学
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
沖川 侑揮 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノ材料研究部門, 研究員 (50635315)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2015年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2014年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2013年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | グラフェン / 窒素 / ドーピング / プラズマ / プラズマＣＶＤ / 窒素ドープ / 差動排気システム |
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| 研究成果の概要 |
プラズマ化学気相成長法（ＣＶＤ）は低温、高スループット、大面積での炭素材料合成に向いている。本研究では、窒素ドープグラフェンの電気伝導機構解明を目的として、低温合成が可能なプラズマＣＶＤを用いた窒素ドープグラフェン合成を試みた。まず、プラズマＣＶＤ合成装置に質量分析装置を組み合わせることでプラズマ照射中のガス分圧を検知し、グラフェン合成中に導入される窒素量を把握できるようになった。この技術を用いて微量なメタンと窒素を導入することで、窒素ドープグラフェン合成に成功した。
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