| 研究課題/領域番号 |
25790041
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
応用物性
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
藤原 宏平 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (50525855)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2014年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2013年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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| キーワード | 酸化物エレクトロニクス / 抵抗変化メモリー / 電界効果トランジスタ / 酸化還元 / 電界効果デバイス |
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| 研究成果の概要 |
遷移金属酸化物が示す電子の相変化現象を取り入れたデバイスが次世代エレクトロニクスの担い手として期待されている。本研究では、室温で電荷秩序現象を示す鉄酸化物を用いて、高電界ストレス印加と静電キャリアドーピングによる電子相の電気的制御を試みた。パルスレーザー堆積法で作製したLuFe2O4, YbFe2O4薄膜において、高電界ストレスによる電流スイッチング効果の観測に成功した。これら薄膜をチャネルとした電気二重層トランジスタを作製し、静電キャリアドーピングによる電気伝導度の変調を観測した。
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