| 研究課題/領域番号 |
25790049
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 明治大学 |
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研究代表者 |
小瀬村 大亮 明治大学, 研究・知財戦略機構, 客員研究員 (00608284)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2014年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2013年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | III-V化合物半導体 / GaN / 非極性面 / 液浸ラマン分光法 / 表面増強ラマン分光法 / フォノン / ウルツ鉱構造 / カソードルミネッセンス / 化合物半導体 / パワーデバイス / 異方性応力 / フォノン変形ポテンシャル |
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| 研究成果の概要 |
GaN最表面の異方性応力評価手法について検討した。本課題で重要なひずみラマンシフト係数について応力印加装置を用いた手法とラマン、X線回折を使った手法で導出した。液浸と表面増強ラマンの技術を組み合わせてGaN最表面の情報を抽出した。c, a, m, s面のラマン偏光選択則を明らかにした。液浸ラマンで励起したE1TOのピーク位置が異常を示し、これはフォノンmixingに因ることを明らかにした。フォノンmixingの式を用いた異方性応力評価手法について検討した。本課題で得られた上記の成果は、GaNの応力評価の観点で重要な知見を含んでおり、GaN系材料の結晶評価技術、成長技術に貢献できると考えている。
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