研究課題/領域番号 |
25790050
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研究種目 |
若手研究(B)
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配分区分 | 基金 |
研究分野 |
結晶工学
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研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
研究代表者 |
大島 祐一 独立行政法人物質・材料研究機構, 光・電子材料ユニット, 主任研究員 (70623528)
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研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2015-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2014年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
2013年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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キーワード | 窒化物半導体 / 熱電変換 / 磁性半導体 / 太陽電池 |
研究成果の概要 |
ハライド気相成長法により、新規な窒化物半導体であるScNの結晶成長を検討した。独自開発による高耐食性反応炉により、不純物密度を劇的に低減した(従来比1/100-1/1000)。またサファイアM面およびR面基板上で単結晶成長に成功した。それらの結晶性が膜厚とともに向上することを見出し、報告されている中で最高の結晶品質を達成した。従来大きな問題であった不純物および残留キャリア濃度も1/100程度に低減することができた。
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