| 研究課題/領域番号 |
25790053
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東京理科大学 (2014)
東北大学 (2013) |
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研究代表者 |
中嶋 宇史 東京理科大学, 理学部, 講師 (60516483)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2014年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2013年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 強誘電体薄膜 / 高分子 / 抵抗変化 / 不揮発性メモリ / 高分子強誘電体 / 超薄膜 / トンネル伝導 |
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| 研究成果の概要 |
本研究は、自発分極の双安定性によって現れる分極誘起抵抗変化現象に着目した新しいメモリ素子の実現を目的とし、その動作原理の基礎的理解と特性向上に関連した研究を進めたものである。強誘電性の発現に際して基板種の制限を受け難い高分子強誘電体VDF/TrFE共重合体に着目し、膜厚10nm以下の超薄膜試料を異なる電極種上に作製し、その電気伝導性の評価を行うことで、金属電極種の違いが分誘起極抵抗変化効果に与える影響について検討を行った。作製した薄膜において分極反転に伴う抵抗変化が10～100倍現れることを確認しており、抵抗変化を利用した不揮発性メモリ素子への応用可能性を実験的に示すことができたと結論付けた。
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