| 研究課題/領域番号 |
25790054
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
近松 彰 東京大学, 理学(系)研究科(研究院), 助教 (40528048)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2014年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2013年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | 薄膜・表面界面物性 / 酸化物エレクトロニクス / 薄膜新材料 / スピンエレクトロニクス / 表面界面物性 / 結晶成長 / エピタキシャル / 物性実験 |
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| 研究成果の概要 |
反強磁性ハーフメタル物質は、第一原理計算により多くの物質が予測されているが、未だ完全な反強磁性ハーフメタル物質の合成例はない。本研究では、反強磁性ハーフメタル実現に向けて、反強磁性ハーフメタル候補物質LaSrVMoO6・Sr2CrRuO6の高品質なエピタキシャル薄膜を作製し、輸送・磁気特性と電子状態を実験的に明らかにした。また、シード層として期待されるBサイト配列Sr2MgMoO6エピタキシャル薄膜の作製にも成功した。
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