| 研究課題/領域番号 |
25790056
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
竹内 正太郎 大阪大学, 基礎工学研究科, 助教 (70569384)
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| 研究協力者 |
池田 勇二
水谷 聡史
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2014年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2013年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
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| キーワード | 低次元半導体結晶成長 / 高配向性グラファイト基板 / 窒化アルミニウム / ゲルマネン / HOPG表面 / アルミニウム / ラジカル窒素 / ゲルマニウム / 二次元層結晶 / エッチング / ライプニング現象 / 粒界 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、ゲルマニウムの二次元シート結晶：ゲルマネンを成長させうるテンプレート基板の開発を目的とし、高配向性グラファイト基板上に二次元シート状窒化アルミニウム結晶の作製を試みた。RF－MBE法により、高配向性グラファイト基板上にアルミニウムと窒素ラジカルの同時照射した際の表面構造を走査型電子顕微鏡および原子間力顕微鏡により解析し、結晶構造をX線回折法により解析した。その結果、各成長条件に対し、窒化アルミニウム結晶薄膜の成長を確認した。また、基板温度800℃・窒素ラジカルRF出力600Wの条件において、二次元シート状窒化アルミニウム結晶の成長を確認した。
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