| 研究課題/領域番号 |
25790058
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
大田 晃生 名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 研究員 (10553620)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2014年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2013年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
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| キーワード | 抵抗変化型メモリ / メモリデバイス / 絶縁膜技術 / 金属ナノドット / Si酸化膜 / 原子間力顕微鏡 / シリコン酸化膜 / 走査プローブ顕微鏡 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、Siテクノロジーとの親和性に優れたSiOxを用いたReRAMを作成し、ナノメートルスケールの微小素子の基礎特性を明らかにすることと、抵抗変化動作に寄与する導電性パス形成・消失を制御することを目的とした。Niナノドットを電極に活用したナノスケールの素子を作成し、局所領域の抵抗変化特性を調べ、SiOxは素子縮小に対する適合性が高いことを示した。また、積層化による電流制御や、SiOxへの金属ナノドットの埋め込みによる電界集中効果による安定動作を試みた。SiOx膜へのMnやTiナノドットを埋め込みが、ON/OFF抵抗比の向上や動作電圧のばらつき低減に有効であることを明らかにした。
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