研究課題/領域番号 |
25800180
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研究種目 |
若手研究(B)
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配分区分 | 基金 |
研究分野 |
物性Ⅰ
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研究機関 | 上智大学 |
研究代表者 |
猪瀬 裕太 上智大学, 理工学部, 研究員 (90634501)
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研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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配分額 *注記 |
3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2015年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2014年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2013年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
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キーワード | 窒化物半導体 / キャリアダイナミクス / 量子効率 / 取り出し効率 / 励起子‐フォノン相互作用 / 励起子多体効果 / 誘導放出 / ランダムレージング / 発光メカニズム / 発光効率 / オージェ効果 / 分布帰還型レーザー / ディラックコーン / 光局在 |
研究成果の概要 |
本研究では窒化物半導体ナノ結晶を対象として、以下について研究を進め明らかにした。 (1)薄膜に比べてナノ結晶の内部量子効率と取り出し効率が高く、それによって外部量子効率も非常に高くなることを確認した。(2)InGaN/GaN試料のキャリアダイナミクスから局在深さを見積もり、発光効率との関係性を明らかにした。またGaN試料の結晶サイズ依存性を評価し、励起子‐フォノン相互作用にナノサイズ効果が発現することを見出した。(3)集団配列効果に起因した誘導放出現象という光機能を観測し、時分解分光と空間像および角度依存から発振メカニズムを直接観測した。また構造ゆらぎの影響についても明らかにした。
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