| 研究課題/領域番号 |
25800184
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
Tretiakov Oleg (TRETIAKOV Oleg) 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (50643425)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2015年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2014年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2013年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | 反強磁性体 / 磁壁ダイナミクス / トポロジカルスピンテクスチャー / スキルミオン / トポロジカルスピンテクス チャ / トポロジカルスピンテクスチャ / skyrmions |
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| 研究成果の概要 |
反強磁性体の交替スピンの運動を記述する方程式を導出した[Phys. Rev. Lett. 110, 127208 (2013)]。これにより反強磁性スカーミオンの運動を記述した[Phys. Rev. Lett. 116, 147203 (2016)]。電流効果や温度効果は強磁性のそれと異なる。反強磁性体における磁壁の電気磁気効果とメモリーへ応用を論じた[Appl. Phys. Lett. 108, 132403 (2016)]。磁壁の移動度の最大値を電場の関数として求めた。Cr2O3などのデバイス応用には面内歪みを導入することで磁壁の歳差運動を防ぎ引き戻し効果に打ち勝つことを示した。
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