| 研究課題/領域番号 |
25800191
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
松井 朋裕 東京大学, 理学(系)研究科(研究院), 助教 (40466793)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2014年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2013年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | グラフェン / 走査トンネル顕微・分光法 / 電気伝導特性 / バンド・ギャップ / 走査トンネル顕微/分光法 / バンドギャップ誘起 / スピン偏極ジグザグ端状態 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、グラフェンへのバンド・ギャップ誘起とそのメカニズムの解明を目標とし、原子/分子吸着の効果と、細孔によるグラフェン加工の効果を調べた。前者では吸着子がグラフェンのカイラル対称性を破ることが期待されたが、バンド・ギャップ誘起を示す結果は得られなかった。一方、後者ではグラファイト表面にジグザグ端で囲まれた単原子層深さの六角形ナノピットを多数作成することに成功し、低温磁場中走査トンネル顕微・分光法により、ナノリボンでのエネルギーギャップ誘起の観測に成功した。また、グラフェンにおける量子ホール端状態とジグザグ端状態の関係を実空間で示すことに成功した。
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