| 研究課題/領域番号 |
25810035
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
無機化学
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
松石 聡 東京工業大学, 元素戦略研究センター, 准教授 (30452006)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
2015年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2014年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2013年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
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| キーワード | 水素アニオン / 層状化合物 / 電子ドーピング / 金属・絶縁体転移 / 混合アニオン化合物 / 金属絶縁体転移 / 固体化学 / 水素陰イオン |
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| 研究成果の概要 |
ZrCuSiAs型LaZnAsOに対し、酸素イオンの水素アニオン置換による電子ドーピングの効果を調べた。水素置換の上限は20-25%程度であり、仕込み水素置換量20%から25%の間で絶縁体から金属状態へ転移した。さらに、Mn-Ｈ共置換を行ったLaZn1-xMnxAsO1-xHxを合成したところ、ごく弱い強磁性のシグナルが見られた。強磁性を示す LaMnAsO1-xHxについて磁気測定、紫外光電子分光測定および電子状態計算を行ったところ、水素置換による反強磁性絶縁体-強磁性金属転移は、電子ドーピングにより遍歴状態になったMn3dバンドの電子間の直接的な相互作用によるものであることが示唆された。
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