| 研究課題/領域番号 |
25810142
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
デバイス関連化学
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| 研究機関 | 慶應義塾大学 |
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研究代表者 |
山本 崇史 慶應義塾大学, 理工学部, 講師 (40532908)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2015年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2014年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2013年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
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| キーワード | 超伝導 / 光化学反応 / 電気化学 / 表面修飾 / フォトクロミズム / 光磁気相転移 / 外場応答性分子 |
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| 研究成果の概要 |
本研究課題では、光化学反応を利用することによって超伝導特性を可逆に制御できるような材料を創出することを目的とした。
ホウ素ドープダイヤモンド (BDD) 表面の終端原子を変換することによって、臨界電流密度の可逆な制御を達成し、これは超伝導体積分率の変化に対応していることが磁化測定から明らかとなった。つまり、BDDの超伝導特性が表面に極めて敏感であることがわかった。
BDD表面にアゾベンゼン化合物を導入したAZ-BDDを作製したところ、光化学反応に伴った臨界電流密度の増幅率は55%であり、この値は先行研究の4倍に達した。これは、BDDが表面に敏感な超伝導特性を示すことに起因していると考えられる。
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