| 研究課題/領域番号 |
25810143
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
デバイス関連化学
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| 研究機関 | 分子科学研究所 |
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研究代表者 |
須田 理行 分子科学研究所, 協奏分子システム研究センター, 助教 (80585159)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2014年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2013年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 電界効果トランジスタ / 自己組織化単分子膜 / モット絶縁体 / 電荷移動錯体 / モット転移 / 有機電荷移動錯体 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、BEDT-TTF(Bis(ethylenedithio)tetrathiafulvalene)誘導体をドナー分子とした電荷移動錯体の自己組織化単分子膜を作製することで、単分子膜モット絶縁体の構築と、これをチャネル層としたモット転移型電界効果トランジスタの実現を目的とした。得られたデバイスからは、n型の電界効果が観測され、200μmに及ぶ広範囲なシングルドメイン単分子膜の形成が示唆された。ON/OFF比や電界効果移動度はバルク結晶のFETと比較して高い値となっており、単分子膜構造の優位性を示す結果となった。
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