研究課題
若手研究(B)
半導体デバイスのような微小な積層構造物の機械的信頼性を確保するため、微小な領域での積層界面強度を局所的に直接評価し、その強度を左右する因子の特定を試みた。半導体配線構造でよく用いられるCu/SiN界面構造において単結晶銅試料では均一な界面強度であったが多結晶銅では強度が大きくばらついたことから、銅の複雑に分布する結晶粒構造が局所強度変動の一因であることを見出した。また、強度と密接に関わる銅の塑性変形についても、その場結晶方位観察をおこなうことで、界面剥離時に結晶粒構造に応じた局所的な変形が生じていることを確認した。
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