窒化物半導体太陽電池のための超高品質基板の開発

• 研究課題/領域番号: 25820120
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 基金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 小林 篤 東京大学, 生産技術研究所, 特任助教 (20470114)
• 研究期間 (年度): 2013-04-01 – 2015-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2014年度)
• 配分額: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円); 2014年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円); 2013年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
• キーワード: 窒化物半導体 / 薄膜成長 / 電子・電気材料

研究成果の概要

本研究では、窒化物半導体太陽電池の高効率化を目的として、新規格子整合基板の開発を行った。具体的には、異種材料である酸化物基板上に、結晶性の高い窒化物半導体薄膜をエピタキシャル成長させ、それを剥離した。このプロセスにより、所望の格子定数とバンドギャップを有する窒化物半導体テンプレートを作製することに成功した。

研究成果

• [雑誌論文] Structural properties of GaN films grown on multilayer graphene films by pulsed sputtering (2014)
  • 著者名/発表者名: J. W. Shon, J. Ohta, K. Ueno, A. Kobayashi, and H. Fujioka
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 7 号: 8 ページ: 085502-085502
  • DOI: 10.7567/apex.7.085502
  • NAID: 210000137197
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fabrication of full-color InGaN-based light-emitting diodes on amorphous substrates by pulsed sputtering (2014)
  • 著者名/発表者名: J. W. Shon, J. Ohta, K. Ueno, A. Kobayashi, and H. Fujioka
  • 雑誌名: Scientific Reports 巻: 4 号: 1 ページ: 5325-5325
  • DOI: 10.1038/srep05325
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] AlGaN/GaN heterostructure prepared on a Si (110) substrate via pulsed sputtering (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Watanabe, J. Ohta, T. Kondo, M. Ohashi, K. Ueno, A. Kobayashi, and H. Fujioka
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 104 号: 18 ページ: 182111-182111
  • DOI: 10.1063/1.4876449
  • 査読あり
• [雑誌論文] Theoretical study of InN growth on Mn-stabilized zirconia (111) substrates (2014)
  • 著者名/発表者名: Y. Guo, S. Inoue, A. Kobayashi, J. Ohta, and H. Fujioka
  • 雑誌名: Thin Solid Films 巻: 551 ページ: 110-113
  • DOI: 10.1016/j.tsf.2013.11.100
  • 査読あり
• [雑誌論文] Field-effect transistors based on cubic indium nitride (2014)
  • 著者名/発表者名: M. Oseki, K. Okubo, A. Kobayashi, J. Ohta, and H. Fujioka
  • 雑誌名: Scientific Reports 巻: 4 号: 1 ページ: 3951-3951
  • DOI: 10.1038/srep03951
  • 査読あり
• [雑誌論文] Solid-phase epitaxy of InOxNy alloys via thermal oxidation of InN films on yttria-stabilized zirconia (2014)
  • 著者名/発表者名: A. Kobayashi, T. Itoh, J. Ohta, M. Oshima, and H. Fujioka
  • 雑誌名: Physica Status Solidi RRL 巻: Early View 号: 4 ページ: 362-366
  • DOI: 10.1002/pssr.201400007
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electrical properties of amorphous-Al2O3/single-crystal ZnO heterointerfaces (2013)
  • 著者名/発表者名: J. Liu, A. Kobayashi, J. Ohta, H. Fujioka, and M. Oshima
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 103 号: 17 ページ: 172101-172101
  • DOI: 10.1063/1.4826538
  • 査読あり
• [雑誌論文] Atomic scattering spectroscopy for determination of the polarity of semipolar AlN grown on ZnO (2013)
  • 著者名/発表者名: A. Kobayashi, K. Ueno, J. Ohta, M. Oshima, and H. Fujioka
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 103 号: 19 ページ: 192111-192111
  • DOI: 10.1063/1.4829478
  • 査読あり
• [学会発表] 酸化亜鉛基板上への窒化物半導体低温成長 (2014)
  • 著者名/発表者名: 小林篤，太田実雄，藤岡洋
  • 学会等名: 第6回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 名城大学
  • 年月日: 2014-07-26
  • 招待講演
• [学会発表] YSZ 基板上に成長した(InN)x(In2O3)1-x薄膜の特性
  • 著者名/発表者名: 小林篤，伊藤剛輝，太田実雄，尾嶋正治，藤岡洋
  • 学会等名: 第32回電子材料シンポジウム
  • 発表場所: ラフォーレ琵琶湖
• [学会発表] Low-temperature epitaxial growth of non/semi-polar group-III nitrides on ZnO
  • 著者名/発表者名: Atsushi Kobayashi, Tomofumi Kajima, Hiroaki Tamaki, Jituso Ohta, Masaharu Oshima, and Hiroshi Fujioka
  • 学会等名: 2013 JSAP-MRS Joint Symposium
  • 発表場所: 同志社大学
  • 招待講演
• [学会発表] 酸化亜鉛基板上窒化物半導体の格子歪みと偏光特性
  • 著者名/発表者名: 小林篤，玉木啓晶 ，太田実雄，藤岡洋
  • 学会等名: 第61回 応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学
• [備考]
  • URL: https://sites.google.com/site/akobayashi920/
• [備考] http://www.iis.u-tokyo.ac.jp/~hfujioka/