| 研究課題/領域番号 |
25820125
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 奈良先端科学技術大学院大学 |
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研究代表者 |
石河 泰明 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 准教授 (70581130)
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| 研究協力者 |
上岡 義弘
BERMUNDO Juan Paolo
長田 至弘
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2014年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2013年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | 酸化物半導体 / 薄膜トランジスタ / ＩｎＺｎＯ / ＯＨラジカル / 塗布 / OHラジカル |
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| 研究成果の概要 |
次世代ユビキタス情報端末となるフレキシブルデバイスの実現には、高性能プリンテッド薄膜トランジスタが必要である。塗布型InZnOを利用した薄膜トランジスタの高性能化のため、OHラジカル処理など、様々な化学反応による材料改善を試み、高歩留り・高性能を両立する湿潤酸素処理技術の開発に成功した。また、塗布型電極の界面層形成を検討し、スパッタによるAg電極より塗布型Ag電極がInZnOトランジスタに適していることを見出した。
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