| 研究課題/領域番号 |
25820133
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
木野 久志 東北大学, 学際科学フロンティア研究所, 助教 (10633406)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2014年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2013年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | 3D IC / 金属マイクロバンプ / アンダーフィル / 信頼性 / 曲げ応力 / 集積エレクトロニクス / 高密度実装 / プロセス技術・微細加工 / 半導体材料・デバイス |
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| 研究成果の概要 |
次世代の集積回路として三次元集積回路(Three dimensional integrated circuit: 3D IC)が期待されているが、異種材料間の熱膨張係数差により局所応力の影響が懸念される。本研究では局所応力がトランジスタに与える種々の影響を評価した。
テスト構造による評価の結果、異種材料間の熱膨張係数差で生じる局所曲げ応力は薄化Si基板に大きな歪を与え、トランジスタ特性にも大きな影響を与えることが判明した。三次元集積化回路の実用化展開のためには異種材料間の熱膨張係数差によって生じる機械応力の影響を抑制することが喫緊の課題である。
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