| 研究課題/領域番号 |
25820149
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 熊本高等専門学校 |
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研究代表者 |
高倉 健一郎 熊本高等専門学校, 情報通信エレクトロニクス工学科, 准教授 (70353349)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2015年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2014年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2013年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 酸化物半導体 / フレキシブルデバイス / 酸化ガリウム / 透明導電膜 |
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| 研究成果の概要 |
酸化ガリウムを利用したデバイス製作を目標として、元素組成及び結晶構造の観点から、成膜条件を詳細に検討した。Ｘ線回折法を利用して膜の結晶構造を評価したところ、基板の種類とは関係なく、酸化ガリウム膜厚が厚くなると膜の配向性が向上することが分かった。また、酸化ガリウム膜の光学特性を既存の透明導電膜材料のものと比較することで、透過可能な波長域がはるかに広いことが確認できた。さらに長時間の熱処理を試みたところ、40時間の熱処理を施したGa2O3:SnO2膜の導電率は、約1.75 uS/cmであり、10分間の熱処理を施したGa2O3:SnO2膜の導電率と比較すると、5桁もの導電率向上を達成した。
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