研究課題
若手研究(B)
一次元ナノ構造体の電気デバイスが製造されており、それらの機械的および電気的特性は、その場TEM観察法を使用して研究されてきた。シリコンナノワイヤの電子移動度は、引張ひずみ3.4%の下で3.8倍に向上させることができ、14.7%までの曲げひずみの下では2.7倍直線的かつ可逆的に増加させることができた。加うるに提示されたようなキラリティー依存の輸送特性を持ち、約1ナノメートル径を有する単層カーボンナノチューブのトランジスタ及び真空管の製造に成功している。さらに、極限的に高い柔軟性を示し、高性能で柔軟な電子デバイスのための道を切り開くため、原子スケールでの薄い二次元結晶の変形が研究されてきた。
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すべて 雑誌論文 (14件) (うち国際共著 8件、 査読あり 14件、 謝辞記載あり 2件) 学会発表 (7件) (うち国際学会 3件、 招待講演 1件) 備考 (2件)
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