| 研究課題/領域番号 |
25820337
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
大垣 武 独立行政法人物質・材料研究機構, 光・電子材料ユニット, 主任研究員 (80408731)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2014年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2013年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | 窒化スカンジウム / 窒化ガリウム / 薄膜 / 分子線エピタキシー / 電気特性 |
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| 研究成果の概要 |
分子線エピタキシー法により、岩塩型構造の窒化スカンジウム(ScN)薄膜をバッファ層として導入し、閃亜鉛鉱型窒化ガリウム(GaN)の合成を目的とした研究を実施した。成長用基板の探索、合成条件と結晶性・電気特性の関係を調査し、ScNの物性を明らかにするとともに、配向の異なる3種類のScN薄膜を成長させることに成功した。（100）配向、（110）配向、（111）配向したScN単結晶薄膜をバッファ層としてGaN薄膜を成長させ、成長相・配向性の合成条件依存性について調査した。
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