| 研究課題/領域番号 |
25820339
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
小林 健 独立行政法人産業技術総合研究所, 集積マイクロシステム研究センター, 主任研究員 (20415681)
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| 研究協力者 |
舟窪 浩 東京工業大学, 総合理工学研究科, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2014年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2013年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | 圧電 / 薄膜 / ポーリング / ＰＺＴ / ＭＥＭＳ / チタン酸ジルコン酸鉛 / 圧電ＭＥＭＳ / ゾルゲル法 |
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| 研究成果の概要 |
本研究ではこのwakeupについて、現象の解明から、条件の最適化を経て、圧電MEMS作製プロセスへの導入までを検討し、圧電薄膜の特性向上のための新たで普遍的な手法を確立することを目的とした。
テトラ組成、MPB組成いずれの場合も、パルスポーリングによって、DCポーリングよりも高い圧電定数が得られることが明らかになった。また、MPB組成については、テトラ組成の場合と異なりユニポーラパルスポーリングがwakeupさせるには必須であることが新たに見出された。パルスポーリングによるwakeupはプロセス完了後に行う方が、高い圧電定数を得るのに有効であることが明らかになった。
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