熱エネルギーに代わる新規なスパッタ薄膜構造制御技術開発

• 研究課題/領域番号: 25820371
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 基金
• 研究分野: 材料加工・組織制御工学
• 研究機関: 都城工業高等専門学校
• 研究代表者: 野口 大輔 都城工業高等専門学校, 物質工学科, 准教授 (00413881)
• 研究期間 (年度): 2013-04-01 – 2016-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2015年度)
• 配分額: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円); 2015年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円); 2014年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円); 2013年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
• キーワード: スパッタリング法 / 薄膜構造制御 / ラジカル / 化学アニーリング効果 / 高速低温結晶化 / 光触媒

研究成果の概要

併用式スパッタ法(RAS法)のスパッタ薄膜(金属ないし金属の不完全反応物からなる金属超薄膜)の構造が、反応工程のラジカルによって化合物化される際に与える影響を明らかにした。スパッタ粒子の運動エネルギーに着目し、その基板到達時の運動エネルギーを変化させることで金属超薄膜の薄膜構造を変化させた。金属超薄膜は3次元的に島状成長しており、その構造はスパッタ粒子の運動エネルギー値によって変化する。島状成長した粒子の数が少なく隙間が多い構造は反応工程におけるラジカルの化学アニーリング効果を効率よく進行させるため結晶性が向上しており、優れた光触媒特性を示すことが分かった。