| 研究課題/領域番号 |
25870280
|
|---|
| 研究種目 |
若手研究(B)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 研究分野 |
結晶工学
無機材料・物性
|
|---|
| 研究機関 | 山梨大学 |
|---|
研究代表者 |
有元 圭介 山梨大学, 総合研究部, 准教授 (30345699)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2015-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2014年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2013年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
|
|---|
| キーワード | ヘテロ構造 / 結晶構造・組織制御 / 歪みシリコン / シリコンゲルマニウム / 結晶欠陥 / 高移動度トランジスター |
|---|
| 研究成果の概要 |
Si(110)面上に固体ソース分子線エピタキシー法により歪みSi/SiGeヘテロ構造を形成し、結晶欠陥・表面モフォロジーと正孔移動度との関係を調べた。この結果、ガスソース分子線エピタキシー法と比較してラフネスを1/10に抑制することに成功した。また、600 cm2/Vsを上回る極めて高い正孔移動度が得られることを実証された。
|
