| 研究課題/領域番号 |
25870448
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
ナノ材料工学
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| 研究機関 | 島根大学 |
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研究代表者 |
吉田 俊幸 島根大学, 総合理工学研究科(研究院), 助教 (50335551)
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| 研究協力者 |
藤田 恭久
篠原 風人
糸原 大貴
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2015年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2014年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2013年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | ZnOナノ粒子 / 塗布法 / p型伝導 / TFT / スプレー法 / 滴下法 / 電気伝導 / トランジスタ応用 |
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| 研究成果の概要 |
ガス中蒸発法で作製したZnOナノ粒子をガラス基板上に塗布し，n型およびp型のZnO薄膜の形成に成功した。またこの塗布膜のみを用いてpn接合ダイオードや，n-チャネルおよびp-チャネル薄膜トランジスタ（TFT）を作製した。これは世界で初めての試みである。
これにより，従来の集積回路技術を活かしたまま，より幅広い基板材料や表面形状など，粒子層が形成可能なあらゆる場所へ電子回路を作り込めることを示した。また今回用いた粒子層の形成法は，滴下法，スプレー法，沈殿堆積乾燥法である。これらは設備投資や製造コストが極めて低い手法であり，全国に多数ある中小企業も参画できる技術である。
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