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量子ドット積層技術による半導体ナノワイヤ構造の形成と物性解明

研究課題

研究課題/領域番号 25870885
研究種目

若手研究(B)

配分区分基金
研究分野 結晶工学
ナノ構造物理
研究機関豊田工業大学

研究代表者

大森 雅登  豊田工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 研究員 (70454444)

研究期間 (年度) 2013-04-01 – 2015-03-31
研究課題ステータス 完了 (2014年度)
配分額 *注記
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2014年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2013年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
キーワードナノワイヤ / ナノ細線 / 量子ドット / コラムナ量子ドット / 分子線エピタキシー / 量子ロッド / TEM / EDX
研究成果の概要

本研究では、量子ドット積層型ナノワイヤの分子線エピタキシー法による形成法の確立と構造評価およびその電気伝導特性の解明を行った。ナノワイヤはInAs種量子ドット上に短周期のAlGaAs/GaAs/InAs超格子を数十層積層させることで形成される。これの微細電流路応用を考え材料組成比の構成を詳しく調べた結果、Al、In、Gaがそれぞれ約19、29、52%のときオーミックかつ周辺リーク電流の少ない電流路が形成されることが分かった。さらに単一ナノワイヤ素子に対して電気伝導特性を評価した結果、1次元量子伝導の可能性を示唆する結果が得られた。本成果により光検出器などの高性能化が図れると期待される。

報告書

(3件)
  • 2014 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2013 実施状況報告書
  • 研究成果

    (7件)

すべて 2015 2014 2013 その他

すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (5件)

  • [雑誌論文] Triangular-barrier quantum rod photodiodes : Their fabrication and detector characteristics2014

    • 著者名/発表者名
      M. Ohmori, Y. Kobayashi, P. Vitushinskiy, S. Nakamura, T. Kojima, H. Sakaki
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett

      巻: 104, 8 号: 8 ページ: 81120-81120

    • DOI

      10.1063/1.4867242

    • 関連する報告書
      2013 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Formation of InAs/AlGaAs/GaAs nanowire structures by self-organized rod growth on InAs quantum dots and their transport properties2013

    • 著者名/発表者名
      M. Ohmori, P. Vitushinskiy, T. Kojima, H. Sakaki, Appl. Phys
    • 雑誌名

      Express

      巻: 6, 4 号: 4 ページ: 45003-45003

    • DOI

      10.7567/apex.6.045003

    • NAID

      10031166430

    • 関連する報告書
      2013 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] 三角障壁フォトトランジスタによる高感度赤外光検出2015

    • 著者名/発表者名
      大森雅登, 杉村和哉, 小嶋友也, 加戸作成, 野田武司, Pavel Vitushinskiy, 岩田直高, 榊 裕之
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学
    • 年月日
      2015-03-13
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] Transport of Electrons in Self-assembled GaInAs Quantum Rod Structures2014

    • 著者名/発表者名
      T. Kojima, M. Ohmori, P. Vitushinskiy, H. Sakaki
    • 学会等名
      The 41st International Symposium on Conpound Semiconductors
    • 発表場所
      Montpellier, France
    • 年月日
      2014-05-11 – 2014-05-15
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] InAs/AlGaAs量子ロッド構造の電流電圧特性

    • 著者名/発表者名
      小嶋友也, 大森雅登, Vitushinskiy Pavel, 榊裕之
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • 関連する報告書
      2013 実施状況報告書
  • [学会発表] 量子ドット構造を用いた三角障壁フォトダイオードの光検出特性

    • 著者名/発表者名
      中村翔, 大森雅登, Vitushinskiy Pavel, 榊裕之
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • 関連する報告書
      2013 実施状況報告書
  • [学会発表] Transport of Electrons in Self-assembled GaInAs Quantum Rod Structures

    • 著者名/発表者名
      Tomoya Kojima, Masato Ohmori, Pavel Vitushinskiy, Hiroyuki Sakaki
    • 学会等名
      The 41st International Symposium on Conpound Semiconductors
    • 発表場所
      Montpellier, France
    • 関連する報告書
      2013 実施状況報告書

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公開日: 2014-07-25   更新日: 2019-07-29  

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