| 研究課題/領域番号 |
25871032
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
結晶工学
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| 研究機関 | 長岡工業高等専門学校 |
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研究代表者 |
荒木 秀明 長岡工業高等専門学校, 物質工学科, 准教授 (40342480)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2014年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2013年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
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| キーワード | 新機能材料 / 太陽電池材料 / 化合物薄膜太陽電池 / 硫化物 / 太陽電池 / 薄膜 |
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| 研究成果の概要 |
InやSeを含まないCu2GeS3 (CGS)薄膜を蒸着・硫化法を用いて作製し，そのCGS薄膜を光吸収層に用いて，glass/Mo/CGS/CdS/ZnO:Al/Al構造の太陽電池素子を形成した。得られた薄膜の平均組成は，ほぼ化学量論組成であり，X線回折より薄膜はCGSであることが確認された。また，光学測定からバンドギャップは1.5-1.6 eVと見積もられ，可視光領域において10000 cm-1台の光吸収係数を持つことを明らかにした。この方法により作製したCu2GeS3薄膜太陽電池において，開放電圧380mV，短絡電流密度12.6 mA/cm2，曲線因子0.355，変換効率1.7%を得た。
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