| 研究課題/領域番号 |
25871198
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
ナノ構造物理
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
中村 秀司 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 物理計測標準研究部門, 主任研究員 (70613991)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2015年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2014年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2013年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | 単一電子素子 / 電流標準 / 超伝導 / マイクロ波 / 量子電流標準 / 単電子トランジスタ / 準粒子 / メゾスコピック系 / 精密測定 |
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| 研究成果の概要 |
本研究の目的は単電子デバイスを用いた微小電流標準の実現である。本研究では、「超伝導ナノ構造を用いた単電子ポンプによる定電流発生」「新奇デバイス開発」「高速微小電流測定技術の開発」の3つの研究を行った。具体的には定電流発生に関して「SINISターンスタイルを用いた単電子ポンプの磁場による安定化」「SINISターンスタイルの並列駆動、高周波駆動による電流の増幅」を行った。また新奇デバイス開発に関して「微粒子ナノギャップを用いた単電子トランジスタの作製」「２DEGを用いた並列単電子ポンプ素子の開発」を行った。最後に「マイクロ波反射・透過測定を用いた実時間単電子検出」のための計測技術の開発を行った。
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