| 研究課題/領域番号 |
25886010
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| 研究種目 |
研究活動スタート支援
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
山本 圭介 九州大学, グリーンアジア国際リーダー教育センター, 助教 (20706387)
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| 研究期間 (年度) |
2013-08-30 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2014年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2013年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
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| キーワード | 電気・電子材料 / 半導体物性 / MOSFET / ゲルマニウム / ULSI / 電子・電気材料 / 低消費電力 |
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| 研究成果の概要 |
大規模集積回路（ULSI）の性能向上（高速化・低消費電力化）は現代社会における急務である。本研究では、Siに代わるULSI材料としてGeに着目し、実用化と性能向上に必要な以下2件の課題に取り組んだ。
1) MOS界面の電荷相互補償 では、プロセス改善により+8×10E10～-5×10E12 cmE-2の広範な固定電荷制御に成功した。これにより電荷の相互補償およびMOSトランジスタの移動度向上が期待できる。2) 金属/Geコンタクトの障壁制御 では、金属/非晶質Ge界面層/Ge構造によって障壁高さを広範制御できることを見出し、このメカニズムについてモデル化を行った。
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