| 研究課題/領域番号 |
25889024
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| 研究種目 |
研究活動スタート支援
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
清水 荘雄 東京工業大学, 元素戦略研究センター, 特任助教 (60707587)
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| 研究期間 (年度) |
2013-08-30 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2014年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2013年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
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| キーワード | 圧電 / 蛍石型酸化物 / 強弾性 / 強誘電性 / 強誘電体 / 蛍石型構造 / エピタキシャル薄膜 / 強弾性体 / 薄膜 / エピタキシャル成長 |
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| 研究成果の概要 |
蛍石型酸化物材料であるHfO2基薄膜材料において強誘電性が発見されたことを受けて、Siテクノロジーとの親和性の高い非ペロブスカイト強誘電体の巨大圧電性の実現を目指した研究を行った。結果として強誘電性を発現していると考えられる斜方晶相が単斜晶相、正方晶相と非常に生成エネルギーが近く結晶化条件の変化によって出現相を変化させうることが分かった。また強誘電性が構造由来であることを確認するため結晶化時の雰囲気の比較や低温での測定を行った。結果として、酸素欠陥のような荷電欠陥の移動が介在しておらず構造由来であり圧電性が期待できることが分かった。
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