ポジトロニウム－グラフェングラフェン薄膜衝突の研究

• 研究課題/領域番号: 25H00620
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分14:プラズマ学およびその関連分野
• 研究機関: 東京理科大学
• 研究代表者: 長嶋 泰之 東京理科大学, 理学部第二部物理学科, 教授 (60198322)
• 研究分担者: 永田 祐吾 東京理科大学, 理学部第二部物理学科, 准教授 (30574115) ; 佐田 雄飛 東京理科大学, 理学部第二部物理学科, 助教 (50981156)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 46,930千円 (直接経費: 36,100千円、間接経費: 10,830千円); 2025年度: 21,060千円 (直接経費: 16,200千円、間接経費: 4,860千円)
• キーワード: ポジトロニウム / ポジトロニウムビーム / グラフェン / 陽電子

研究開始時の研究の概要

申請者は近年、ポジトロニウムにもうひとつの電子が結合したポジトロニウム負イオンを高効率で生成し、電場で加速した後にレーザー光で電子１個を光脱離させることによって、エネルギー可変ポジトロニウムビームを開発することに成功し、それを用いてポジトロニウムやポジトロニウム負イオンの基本的性質を調べるための様々な研究を行ってきた。本研究課題では、ポジトロニウムビームをグラフェングラフェン薄膜に入射してポジトロニウムとグラフェンの衝突現象について調べ、ポジトロニウムが物質に入射したときに引き起こされる最も基本的な現象について理解することを目指す。