日本の半導体産業再興への道を拓く酸化ガリウムの新規バルク単結晶成長法の開発

• 研究課題/領域番号: 25H00725
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分21:電気電子工学およびその関連分野
• 研究機関: 東北大学
• 研究代表者: 吉川 彰 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (50292264)
• 研究分担者: 松岡 隆志 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 学術研究員 (40393730) ; 姚 永昭 三重大学, 研究基盤推進機構, 教授 (80523935) ; 末光 哲也 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 特任教授 (90447186)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 46,540千円 (直接経費: 35,800千円、間接経費: 10,740千円); 2025年度: 17,420千円 (直接経費: 13,400千円、間接経費: 4,020千円)
• キーワード: 単結晶成長 / 結晶成長シミュレーション / 酸化ガリウム / 結晶欠陥 / パワーデバイス

研究開始時の研究の概要

従来の酸化ガリウム結晶育成では、先行研究で報告された物性が酸化ガリウム本来の物性か、結晶育成手法起因なのかを切り分けることができていない。本研究で「無欠陥」結晶を実現することにより、初めて酸化ガリウムの真の物性を評価可能となり、酸化ガリウムパワーデバイス実現に向けた重要課題であるp型の実現や熱伝導率の改善に資する知見も期待できる。世にある半導体デバイスを凌駕する革新的なデバイス作製に貢献すべく、結晶育成と欠陥評価、物性評価、デバイス作製までを一気通貫で実施し、日本の半導体産業再興に貢献する。