極低温CMOSのキャリア・熱輸送の学理構築とシミュレーション基盤の確立

• 研究課題/領域番号: 25H00731
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分21:電気電子工学およびその関連分野
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 内田 建 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (30446900)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 採択 (2025年度)
• 配分額: 46,410千円 (直接経費: 35,700千円、間接経費: 10,710千円); 2025年度: 17,940千円 (直接経費: 13,800千円、間接経費: 4,140千円)