| 研究課題/領域番号 |
25H00731
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
中区分21:電気電子工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
内田 建 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (30446900)
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| 研究期間 (年度) |
2025-04-01 – 2028-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2025年度)
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| 配分額 *注記 |
46,410千円 (直接経費: 35,700千円、間接経費: 10,710千円)
2025年度: 17,940千円 (直接経費: 13,800千円、間接経費: 4,140千円)
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| キーワード | クライオCMOS / ホッピング伝導 / 熱輸送 / フォノンエンジニアリング |
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| 研究開始時の研究の概要 |
本研究では，極低温環境下における高不純物濃度半導体のキャリア輸送および熱輸送特性に関する学理を構築し，それに基づいてクライオCMOSの電気特性を高精度にシミュレートする技術を確立することを目的とする．具体的には，キャリア輸送特性におけるフリーズアウト現象を，デバイスシミュレータへ高精度に組み込むための手法を開発する．また，4Kの極低温下での熱伝導率を精密に計測するための技術も開発する．これらの技術を基盤として，量子コンピュータと従来型コンピュータとのインターフェースとなる，4K環境で動作可能な高性能クライオCMOSの設計ガイドラインを提示することが，本研究の最終的な目標である．
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