半導体薄膜レーザと多層導波路によるシリコン電子回路上３次元多波長高密度光源実現

• 研究課題/領域番号: 25H00735
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分21:電気電子工学およびその関連分野
• 研究機関: 東京科学大学
• 研究代表者: 西山 伸彦 東京科学大学, 工学院, 教授 (80447531)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2030-03-31
• 研究課題ステータス: 採択 (2025年度)
• 配分額: 45,630千円 (直接経費: 35,100千円、間接経費: 10,530千円); 2025年度: 6,240千円 (直接経費: 4,800千円、間接経費: 1,440千円)