照射欠陥挙動解析を目的としたトラップベース過渡陽電子消滅分光法の開発

• 研究課題/領域番号: 25H00859
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分31:原子力工学、地球資源工学、エネルギー学およびその関連分野
• 研究機関: 京都大学
• 研究代表者: 木野村 淳 京都大学, 複合原子力科学研究所, 教授 (90225011)
• 研究分担者: 義家 敏正 大阪公立大学, 大学院工学研究科, 客員研究員 (20124844) ; 徐 ぎゅう 京都大学, 複合原子力科学研究所, 准教授 (90273531) ; 土田 秀次 京都大学, 工学研究科, 准教授 (50304150)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 46,930千円 (直接経費: 36,100千円、間接経費: 10,830千円); 2025年度: 27,040千円 (直接経費: 20,800千円、間接経費: 6,240千円)
• キーワード: 照射誘起欠陥 / 陽電子消滅分光 / その場分析

研究開始時の研究の概要

耐照射材料の設計には照射下の点欠陥挙動の理解とモデリングが重要であるが、照射中に起きる短時間領域（ミリ秒からピコ秒）の現象は、現在のところ、計算科学的手法でしか調べることができない。耐照射材料の開発を促進するため、本研究では、短時間領域の点欠陥挙動を直接調べることが可能なパルスイオン照射とトラップベースの高密度陽電子ビームによる過渡変化測定を組み合わせたポンププローブ式陽電子消滅分光の手法を開発する。電子線型加速器で発生するパルス状低速陽電子ビームを陽電子トラップに蓄積して時間的な密度を高めてパルスイオン照射と同期して陽電子寿命測定を陽電子単一パルスで行うことを目指す。