| 研究課題/領域番号 |
25H00891
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
中区分35:高分子、有機材料およびその関連分野
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| 研究機関 | 国立研究開発法人理化学研究所 |
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研究代表者 |
渡邉 峻一郎 国立研究開発法人理化学研究所, 創発物性科学研究センター, チームディレクター (40716718)
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| 研究分担者 |
清水 智子 慶應義塾大学, 理工学部(矢上), 准教授 (00462672)
瀧宮 和男 国立研究開発法人理化学研究所, 創発物性科学研究センター, グループディレクター (40263735)
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| 研究期間 (年度) |
2025-04-01 – 2028-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2025年度)
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| 配分額 *注記 |
47,580千円 (直接経費: 36,600千円、間接経費: 10,980千円)
2025年度: 28,730千円 (直接経費: 22,100千円、間接経費: 6,630千円)
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| キーワード | 有機半導体 / ナノデバイス / 化学ドーピング |
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| 研究開始時の研究の概要 |
研究では、分子インプラント型ドーピングを超精密空間制御の観点からさらに発展させ、ホモ接合型高分子半導体ナノデバイスを実現する。ホモ接合型の実現により、界面における接触抵抗・フェルミレベルピニング・寄生容量などの本質的な界面問題を排除することが可能となり、極めて幅広い電子デバイスへの応用が展開可能となる。本研究は、不純物ドーピング概念と高分子半導体の融合を発端とし、ヘテロ接合型TFT構造からのホモ接合型MOS-FET構造へのパラダイムシフトを達成する。
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