研究課題
基盤研究(B)
窒化ガリウム（GaN）は、広いバンドギャップ、高い絶縁破壊電界強度を有するため、青色LEDや高出力・高周波電子デバイス用材料として期待されている。GaNの優れた特性を生かすためは、ダメージが無く原子レベルで平滑なGaN表面が要求される。しかしながら、GaNは高硬度、脆性、かつ化学的に不活性なため既存の加工技術では加工能率が低い。本研究では、軟質固定砥粒定盤を用いた高速平坦化とプラズマ照射による表面改質を援用した高能率無歪研磨仕上げから構成される一貫製造プロセスを構築し、GaN基板に対するスラリーを用いない革新的な高能率無歪加工プロセスを実現するとともにその学理を探究する。
