| 研究課題/領域番号 |
25K00038
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
宇佐美 茂佳 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (30897947)
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| 研究分担者 |
今西 正幸 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (00795487)
本田 善央 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授 (60362274)
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| 研究期間 (年度) |
2025-04-01 – 2028-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2025年度)
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| 配分額 *注記 |
18,850千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 4,350千円)
2027年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2026年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2025年度: 10,790千円 (直接経費: 8,300千円、間接経費: 2,490千円)
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| キーワード | Mgイオン注入 / 活性化アニール / GaN / OVPE法 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
次世代パワー半導体材料として注目されるGaNは，p型イオン注入技術が未熟であるために普及に至っていない．Mgイオンの注入ダメージを回復させる高温アニール工程においてGaNはGaと窒素に容易に分解し，Mgの活性化を妨げる．現在，p型化を実現する唯一の手段は超高圧環境下で高温アニール行うことであるが，量産技術としては課題を残している．これに対して，申請者らは酸化物気相成長(OVPE)法を用いてアニール工程にGaNの吸着反応を導入する新規大気圧活性化プロセスを提案する．申請研究では，OVPE法を応用した大気圧活性化プロセスを深化させ，Mgイオン注入GaNの電気的p型化と高耐圧縦型デバイスを実証する．
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