欠陥双極子による分極秩序の記憶効果を利用した超高容量強誘電体薄膜キャパシタの設計

• 研究課題/領域番号: 25K00049
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分26020:無機材料および物性関連
• 研究機関: 熊本大学
• 研究代表者: 松尾 拓紀 熊本大学, 大学院先端科学研究部(工), 特定事業教員(准教授) (10792517)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 17,420千円 (直接経費: 13,400千円、間接経費: 4,020千円); 2027年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円); 2026年度: 4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円); 2025年度: 8,320千円 (直接経費: 6,400千円、間接経費: 1,920千円)
• キーワード: 強誘電体 / エピタキシャル薄膜 / 格子欠陥 / 欠陥複合体 / エネルギー貯蔵

研究開始時の研究の概要

本研究では，多様な基材に転写することが可能な，高容量のBaTiO3強誘電体薄膜キャパシタを開発する．この実現に向け，格子欠陥が会合した欠陥双極子を薄膜に導入し，欠陥双極子と強誘電体の自発分極の相互作用を利用したドメイン構造の制御手法を確立する．加えて，温度や光などの環境を制御した状態で誘電率や導電率を評価するシステムを構築し，欠陥双極子の形成がもたらす物性の変化を解明する．