低次元半金属物質における熱電性の起源解明と制御

• 研究課題/領域番号: 25K00219
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分13030:磁性、超伝導および強相関系関連
• 研究機関: 名古屋大学
• 研究代表者: 中村 優斗 名古屋大学, 工学研究科, 助教 (00756132)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2027年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円); 2026年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円); 2025年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
• キーワード: ラマン分光 / 半金属 / 熱電

研究開始時の研究の概要

高い熱電変換効率を有した材料開発は世界的にも重要な課題であり、将来の電子デバイスを見据えた新規ナノマテリアルにおける基盤技術のための基礎学理の構築が急務である。近年報告された低次元半金属物質は室温以下において高い熱電性能を示し、その起源の解明と制御方法の探索は広い温度域における熱マネジメント技術の創成のために非常に重要である。そこで本研究では種々の分光学的手法を用いることによって低次元半金属における高い熱電性の起源となっている基礎物性を明らかにするとともにキャリアドープや元素置換による機能性制御の可能性について模索する