| 研究課題/領域番号 |
25K00950
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分13030:磁性、超伝導および強相関系関連
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| 研究機関 | 東京理科大学 |
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研究代表者 |
西尾 太一郎 東京理科大学, 理学部第二部物理学科, 教授 (40370449)
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| 研究分担者 |
永崎 洋 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 首席研究員 (20242018)
竹下 直 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 量子・AI融合技術ビジネス開発グローバル研究センター, 主任研究員 (60292760)
堀尾 眞史 東京大学, 物性研究所, 助教 (80897025)
石田 茂之 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (90738064)
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| 研究期間 (年度) |
2025-04-01 – 2028-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2025年度)
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| 配分額 *注記 |
18,590千円 (直接経費: 14,300千円、間接経費: 4,290千円)
2027年度: 5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2026年度: 6,370千円 (直接経費: 4,900千円、間接経費: 1,470千円)
2025年度: 6,760千円 (直接経費: 5,200千円、間接経費: 1,560千円)
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| キーワード | 銅酸化物高温超伝導体 / 電子相図 / 輸送現象・磁気測定 / 角度分解型光電子分光 / 高圧下物性測定 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
近年、申請者らは、独自開発した方法によりHg系高温超伝導体の純良な大型単結晶の育成に成功した。Tl系においても同様な方法により成功する見込みである。本研究では、これらのHg・Tl系の単結晶試料を用いて、（１）電気抵抗率、帯磁率などのバルク特性評価、および、（２）角度分解型光電子分光、走査型トンネル顕微鏡・トンネル分光による電子状態評価を行う。具体的なゴールとして、Hg・Tl系の基礎的な常伝導・超伝導パラメータの決定、ドーピング電子相図の確立と競合秩序相の探索、顕著な転移温度の圧力効果の原因解明の3つを設定する。本研究で得られた結果を基に、Hg・Tl系で高い転移温度が実現している原因を特定する。
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