コアシェル型半導体ナノワイヤを用いた近中赤外光検出器

• 研究課題/領域番号: 25K01256
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21050:電気電子材料工学関連
• 研究機関: 北海道大学
• 研究代表者: 本久 順一 北海道大学, 情報科学研究院, 教授 (60212263)
• 研究分担者: 冨岡 克広 北海道大学, 情報科学研究院, 教授 (60519411)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円); 2027年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円); 2026年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円); 2025年度: 10,790千円 (直接経費: 8,300千円、間接経費: 2,490千円)
• キーワード: 半導体ナノワイヤ / 近中赤外光検出器 / フォトダイオード

研究開始時の研究の概要

近年情報を画像として取得し活用するイメージング技術が注目を集めており、このうち近赤外領域のイメージングは可視領域の光では得られない情報が得られることより活用が進められている。一方半導体ナノワイヤは直径数nmからサブミクロン程度、長さ数100nmから数μmの1次元細線的ながらも立体的な構造を供えたナノ材料であり、コアシェル構造などの独特な構造が実現可能である。本研究ではナノワイヤの形状的な特徴を活かすことによって、従来よりも高感度・広帯域といった利点を有し、さらにはそして将来の2次元アレイ化の実現も視野に入れながら、ナノワイヤによる近中赤外の光検出器の実現を目指す。