HfO2-ZrO2系中間膜における動的格子整合の機構解明と完全結晶薄膜素子への応用

• 研究課題/領域番号: 25K01258
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21050:電気電子材料工学関連
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 関 宗俊 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授 (40432439)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 採択 (2025年度)
• 配分額: 18,460千円 (直接経費: 14,200千円、間接経費: 4,260千円); 2027年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円); 2026年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円); 2025年度: 9,230千円 (直接経費: 7,100千円、間接経費: 2,130千円)